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| 您现在的位置： 青岛晨立电子有限公司 > 供应信息> 第四代半导体工艺设备 氧化镓退火炉 |
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用途：
新型的宽禁带半导体材料,氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能,凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。
青岛晨立生产的氧化镓退火炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。主要用于2-6英寸氧化镓的退火等工艺使用。
青岛晨立电子有限公司成立于2009年，是半导体设备、真空设备生产、研发、销售厂家。为客户提供先进材料热处理、高精度电加热设备及系统集成等全套解决方案。
主要产品：晶圆真空退火炉、晶圆真空合金炉、半导体材料氧化炉、真空共晶炉、封装外壳烧结炉、非晶材料磁场退火炉、高精度智能温度控制系统和替代进口的扩散炉加热器等，同时承接各种微电子生产线，进口半导体专用设备的翻新升级改造及各大专院校科研院所的非标研发定制工作。
本产品网址：http://www.vooec.com/sjshow_507808775/
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产品名称：第四代半导体工艺设备 氧化镓退火炉 |
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