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硅片真空退火炉 高真空退火炉 晨立电子 科研炉 氧化炉 详细说明 |
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一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求
4、外形:主机1台，主机架为卧式两管。
5、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
6、送取片方式:手动进出舟。
二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围:上管:600~1400℃
下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm，
上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。
青岛晨立电子有限公司主要产品：高低温扩散炉、实验炉、共晶炉、烧结炉、加磁炉、高 精 度智能温度控制系统和替代进口的扩散炉炉体等，同时承接各种微电子生产线，进口半导体专 用设备的翻新升级改造及各大专院校科研院所的非标研发定制工作。
本产品网址：http://www.vooec.com/sjshow_507797615/
手机版网址：http://m.vooec.com/trade_507797615.html
产品名称：硅片真空退火炉 高真空退火炉 晨立电子 科研炉 氧化炉 |
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