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SD NAND存储芯片TM3FxxxUAI 详细说明 |
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天微电子 SD NAND 内置 ECC，无需其他控制即可保护用户数据。ECC 可以使用 NAND 闪存的空闲区
域，占用的大小由+ECC 保护能力决定。设备上电后使能 ECC 默认设置。
坏块管理
设备偶尔会包含坏块。请读取每个块的第一页的第一个备用区的第一个字节。每个无效块在这个字
节处都有数据。如果该字节的数据为“0”，则定义该块为坏块。
自动休眠模式
SD NAND 闪存提供自动进入和退出睡眠模式。如果在 5 毫秒内没有收到进一步的命令，芯片将进
入休眠模式。主机不需要为此采取任何操作。SD NAND 闪存在休眠模式下提供超低功耗（约 70uA），适
合物联网应用。
均衡读写
TITAN SD NAND具有均衡读写（wear leveling）功能。均衡读写是一种闪存存储器技术，旨在平衡数据的写入和擦除操作，以延长闪存的使用寿命。
SD NAND在储能领域中的作用可以简要概括为以下几个方面：
1.数据记录与管理：实时监控和记录电池的充电状态、健康状况和温度等关键参数。
2.智能控制：存储控制算法和参数设置，支持能量管理系统（EMS）对充放电策略的智能调节。
3.系统优化：保存历史数据以供分析，优化储能系统的运行策略，提高效率和寿命。
4.安全性：记录电池的使用情况，帮助系统及时发现异常情况，如过充、过放或温度异常，从而提高系统的安全性。
5.通信与接口：存储通信协议和接口信息，确保系统与外部设备的数据交换准确可靠。
6.维护与诊断：存储维护日志和诊断信息，支持故障分析和系统维护工作。
本产品网址：http://www.vooec.com/sjshow_468206298/
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产品名称：SD NAND存储芯片TM3FxxxUAI |
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