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PECVD系统
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发布时间:
2021/7/13 11:34:00 |
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电 话: |
86-0551-65146333 |
传 真: |
86-0551-65148123 |
手 机: |
17354097574 |
邮 编: |
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地 址: |
安徽省合肥市高新区科学大道110号 |
网 址: |
http://123beq.cn.vooec.com |
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公司名称:安徽贝意克设备技术有限公司 |
联 系 人:刘海港 先生 销售部经理 |
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该系统为间接PECVD系统,它包括真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、匹配器,物料喷射系统。电源范围宽,0-500W可调。 温度范围宽:100-1200度可调,溅射区域宽:0-800mm可调。适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易。
主要特点: 薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S; 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%; 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%; 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定; 选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。
真空管式炉 炉管尺寸: 外径Φ50、60、80、100×1000mm 极限温度: 1200 ℃ 温度控制器: PID自动控制 晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器 最快升降温速率: 20 ℃ 加热区: 400mm 恒温区: 200mm 温度精度: ±1 ℃ 电源: 单相220V,交流50Hz
多通道流量计控制系统 标准量程: 100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选) 准确度: ±1.5% 工作压差范围: 0.1~0.5 MPa 最大压力: 3MPa 接头类型: Φ6双卡套不锈钢接头
高真空系统 泵体积流量N2: 33 L/S 压缩比: ≥1011mbar 实验真空值: 10-5mbar 功率消耗: 140W 启动时间: 2min 电源要求: 185-265VAC 射频电源 信号频率: 13.56MHz±0.005%W 功率输出范围: 0-500W 最大反射功率: 100W
本产品网址:http://www.vooec.com/cpshow_4425527/ 手机版网址:http://m.vooec.com/product_4425527.html 产品名称:PECVD系统 |
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