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青岛光耀石墨碳化硅表面外延生长
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| 发布时间：
2012/5/9 10:46:00 |
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电 话： |
86-0532-86332008 |
| 传 真： |
86-0532-86330789 |
| 手 机： |
13705420987 |
| 邮 编： |
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| 地 址： |
青岛市平度市马戈庄工业园驻地 |
| 网 址： |
http://qdguangyao.cn.vooec.com |
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| 公司名称：青岛光耀石墨有限公司 |
| 联 系 人：于璐强 先生 |
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该法是通过加热单晶碳化硅脱除硅，在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至1250~1450℃后恒温1min~20min，从而形成极薄的石墨层，经过几年的探索，克莱尔•伯格（Claire Berger）等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯[17]。在C-terminated表面比较容易得到高达100层的多层石墨烯。其厚度由加热温度决定，制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。
本产品网址：http://www.vooec.com/cpshow_3610628/
手机版网址：http://m.vooec.com/product_3610628.html
产品名称：青岛光耀石墨碳化硅表面外延生长 |
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