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氮化镓 （GAN）氧化炉
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| 发布时间：
2024/11/22 9:42:00 |
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电 话： |
86-0532-88533525 |
| 传 真： |
86-- |
| 手 机： |
13869885308 |
| 邮 编： |
266200 |
| 地 址： |
山东省青岛市即墨区泰山三路285号联东U谷即墨科技创新谷3号楼 |
| 网 址： |
http://chenlidianzi.cn.vooec.com |
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| 公司名称：青岛晨立电子有限公司 |
| 联 系 人：姜经理 先生 经理 |
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该设备用于氮化镓（GAN）芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有精确温度控制系统和真空压力控制系统。
主要参数：
工作温度范围： 600-1280 度。
使用温度：1200 度。
每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。
炉管有效口径：满足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。
升温功率：18KVA/每管 。
电源：三相五线制： 380V 三相五线。
具有断偶、超温报警以及二次保护功能。
岛晨立电子有限公司成立于2009年，是半导体设备、真空设备生产、研发、销售厂家。为客户提供先进材料热处理、高精度电加热设备及系统集成等全套解决方案。
主要产品：晶圆真空退火炉、晶圆真空合金炉、半导体材料氧化炉、真空共晶炉、封装外壳烧结炉、非晶材料磁场退火炉、高精度智能温度控制系统和替代进口的扩散炉加热器等，同时承接各种微电子生产线，进口半导体专用设备的翻新升级改造及各大专院校科研院所的非标研发定制工作。
本产品网址：http://www.vooec.com/cpshow_224481991/
手机版网址：http://m.vooec.com/product_224481991.html
产品名称：氮化镓 （GAN）氧化炉 |
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