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LET-5000系列 半导体静态参数测试系统

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发布时间: 2024/10/15 17:23:00
 
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LET-5000系列 半导体静态参数测试系统 详细说明
  LET-5000系列 半导体静态参数测试系统
型号:LET-5000系列
​LET-5000静态参数测试系统是一款测量与分析功率静态参数的专用仪器,为所有类型的功率器件提供静态参数测量解决方案。
产品描述
LET-5000 半导体测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的 专用仪器,为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
LET-5000 半导体测试系统能在 2200V(可扩展为3500V)和1000A (可 扩展为6000A)的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。
LET-5000 具有快脉冲能力,并具有优异的宽电压和电流测量能力。
这些功能能够对~新的器件(例如 IGBT)和新型材料(例如 GaN 和 SiC)进行测量,可以测试器件包括:MOSFET、IGBT、二极管、三极 管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000 由多个独立的高精度源组成,每个功率源模块上配备两个独 立的模数(AD)转换器支持 2 µs 采样率, 每个模块上的驱动能够独立精确控制 ,对有可能影响器件特性的关键计时进行精确监测。具有高电压和大电流特性 、μΩ级导通电阻精确测量、nA 级漏电流测量能力等特点,支持高压模式 下功率器件结电容测试,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。


被测对象及主要测试参数



被测对象

主要测试参数

分立器件

Id-Vg,Id-Vd,Ic-Vc,二极管

双极

Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容

Coms

Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等

内存

Vth、电容、耐久测试等。

MOSFET

Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容

IGBT

Ic-Vce,Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿

太阳能电池

I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。

纳米器件

电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。

GaN

FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流


LET-5000系统参数:


集电极-发射极
测量电压:
标配:2200V
选件1:3500V
选件2:7000V

测量电流:
标配:1000A
选件1:2000A
选件2:3000A
选件3:4000A
选件4:5000A
选件5:6000A

精度:0.10%
漏电流测试范围:1nA~100mA

栅极-发射极
~大电压:300V
~大电流:10A
精度:0.05%
电压分辨率:30μV
电流分辨率:10pA
电容测试精度:0.50%
频率范围:10Hz-1MHz
电容值范围:0.01pF-9.9999F

image.png
image.png
image.png订货规格:
LET-5210 电压范围:0-2200V,电流范围:0-1000A
LET-5220 电压范围:0-2200V,电流范围:0-2000A
LET-5230 电压范围:0-2200V,电流范围:0-3000A
LET-5240 电压范围:0-2200V,电流范围:0-4000A
LET-5250 电压范围:0-2200V,电流范围:0-5000A
LET-5260 电压范围:0-2200V,电流范围:0-6000A

LET-5310 电压范围:0-3500V,电流范围:0-1000A
LET-5320 电压范围:0-3500V,电流范围:0-2000A
LET-5330 电压范围:0-3500V,电流范围:0-3000A
LET-5340 电压范围:0-3500V,电流范围:0-4000A
LET-5350 电压范围:0-3500V,电流范围:0-5000A
LET-5360 电压范围:0-3500V,电流范围:0-6000A

LET-5710 电压范围:0-7000V,电流范围:0-1000A
LET-5720 电压范围:0-7000V,电流范围:0-2000A
LET-5730 电压范围:0-7000V,电流范围:0-3000A
LET-5240 电压范围:0-7000V,电流范围:0-4000A
LET-5750 电压范围:0-7000V,电流范围:0-5000A
LET-5760 电压范围:0-7000V,电流范围:0-6000A
本产品网址:http://www.vooec.com/cpshow_224473991/
手机版网址:http://m.vooec.com/product_224473991.html
产品名称:LET-5000系列 半导体静态参数测试系统
 
·基本配置规格
  半导体静态参数测试系统
 
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