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泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器
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| 发布时间：
2024/10/15 17:23:00 |
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电 话： |
86-0139-22871080 |
| 传 真： |
86-0755-86652135 |
| 手 机： |
13922871080 |
| 邮 编： |
510008 |
| 地 址： |
深圳市南山区常兴路1号顺天大厦西座5A |
| 网 址： |
http://Michaelyang.cn.vooec.com |
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| 公司名称：贝斯特(亚洲)实业有限公司 |
| 联 系 人：杨聪/Michael 先生 销售经理 |
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泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器 详细说明 |
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泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。
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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：
全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。
自动识别阻容模块，并调整大电压。
低电压5V，1V步进调节电压
可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技术参数
HBM 短路电流参数
放电电容 100 pF
放电电阻 1500 Ω
峰值电流Ips 0.17 A +10% @250 V
0.33 A +10% @500 V
0.67 A +10% @1000 V
1.33 A +10% @2000 V
2.67 A +10% @4000 V
上升时间 2 ns~10 ns
脉冲宽度 150 ns + 20 ns
振铃幅度 <15%峰值电流
HBM 500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr 375 mA~550 mA @ 1000V
1.5 A~2.2 A @ 4000V
Ipr/Ips ≥ 63%
上升时间 5 ns~25 ns
MM短路电流参数
放电电容 200 pF
放电电阻 0 
峰值电流Ip1 0.44 A +20% @25 V
0.88 A +20% @50 V
1.75 A +10% @100 V
3.5 A +10% @200 V
7.0 A +10% @400 V
Ip2/Ip1 67%~90%
周期 66 ns~90 ns
MM 500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr 0.85 A~1.2 A @ 400 V
100 ns电流值 I100 0.23 A~0.40 A @ 400 V
I200/I100 30%~55%
通用参数
输出电压 HBM 5 V~8000 V (5%+5V)
MM 5 V~1000V (5%+5V)
极性 正、负或正负交替
频率 0.1 Hz~5 Hz
触发次数 1~999次
触发方式 自动，手动，外触发
输入电源 AC 100 V ~240 V ，+10%
50 Hz /60 Hz
环境温度 15℃~35℃
储藏温度 -10℃~50℃
相对湿度 25%~75%
尺寸 450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高)
重量 约10 kg
本产品网址：http://www.vooec.com/cpshow_224473934/
手机版网址：http://m.vooec.com/product_224473934.html
产品名称：泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器 |
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