硅片真空退火炉高真空退火炉晨立电子科研炉氧化炉

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发布时间： 2024/11/22 9:42:00

青岛晨立电子有限公司

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硅片真空退火炉高真空退火炉晨立电子科研炉氧化炉详细说明

一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求

4、外形:主机1台，主机架为卧式两管。

5、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
6、送取片方式:手动进出舟。

二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围:上管:600~1400℃
下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm，
上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。

青岛晨立电子有限公司主要产品：高低温扩散炉、实验炉、共晶炉、烧结炉、加磁炉、高精度智能温度控制系统和替代进口的扩散炉炉体等，同时承接各种微电子生产线，进口半导体专用设备的翻新升级改造及各大专院校科研院所的非标研发定制工作。

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产品名称：硅片真空退火炉高真空退火炉晨立电子科研炉氧化炉

·基本配置规格

硅片真空退火炉 高真空退火炉 晨立电子 科研炉 氧化炉

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