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TDM3434 N沟道 40V MOS

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发布时间: 2021/10/12 14:34:00
 
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公司名称:深圳市宏德伟创科技有限公司
联 系 人:郭诗 女士 销售
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TDM3434 N沟道 40V MOS 详细说明
  深圳市宏德伟创科技有限公司(美国泰德授权代理可看证)
(原厂原装,美国设计,原厂技术支持,质量保证)
联系人:郭小姐    QQ:1803397686

TDM3434  N沟道 40V 4mΩ@4.5V

商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 3.1mΩ @ 25A,10V
DA功率耗散(Ta=25°C) 100W(Tc)
类型 N沟道

TDM3434
DESCRIPTION
The TDM3434 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in    PWM
applications.
GENERAL FEATURES
&#61548;&#160;RDS(ON) < 4.2m&#8486;&#160;@ VGS=4.5V&#160; &#160;
RDS(ON) < 3.1m&#8486;&#160;@ VGS=10V
&#61548;&#160;High Power and current handling capability
&#61548;&#160;Lead free product is available
&#61548;&#160;Surface Mount Package
Application
&#61548;&#160;PWM applications
&#61548;&#160;Load switch
&#61548;&#160;Power management

主营美国泰德降压IC,DC-DC系列,以及MOS场效应管系列.

泰德/授权代理商,32位MCU代理商,中科芯/航&#160;顺。

本产品网址:http://www.vooec.com/cpshow_224204862/
手机版网址:http://m.vooec.com/product_224204862.html
产品名称:TDM3434 N沟道 40V MOS
 
·基本配置规格
  TDM3434
 
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