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TDM3421 TD泰德代理 P沟道 -30V 4.5V MOS
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发布时间:
2021/10/12 14:19:00 |
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电 话: |
86-0755-83208525 |
传 真: |
86-- |
手 机: |
14776865315 |
邮 编: |
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地 址: |
深圳市福田区深南中路3008号佳和华强大厦A座3001 |
网 址: |
http://HDWC13.cn.vooec.com |
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公司名称:深圳市宏德伟创科技有限公司 |
联 系 人:郭诗 女士 销售 |
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TDM3421 TD泰德代理 P沟道 -30V 4.5V MOS 详细说明 |
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深圳市宏德伟创科技有限公司(美国泰德授权代理可看证) (原厂原装,美国设计,原厂技术支持,质量保证) 联系人:张小姐    QQ:1027977946
TDM3421 P沟道 -30V 32mΩ@4.5V
商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 32A(Tc) 栅源极阈值电压 2.3V @ 250uA 漏源导通电阻 19mΩ @ 10.5A,10V DA功率耗散(Ta=25°C) 29.8W(Tc) 类型 P沟道 TDM3421 DESCRIPTION The TDM3421 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES  RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=‐4.5V RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=‐10V  Reliable and Rugged  ESD protection pass 2KV  Lead free product is available  PPAK‐3*3‐8 Package Application  PWM applications  Load switch  Power management PPAK-3*3-8
NOTES: 1. Surface Mounted on 1in2 pad area, t≤ 10sec. RθJA steady state t = 999s.    2. The power dissipation PD is based on TJ(MAX) = 150o C, and it is useful for reducing junction‐to‐case thermal resistance (RθJC) when additional heat sink is used. 3    Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%. 4    Guaranteed by design, not subject to production testing
主营美国泰德降压IC,DC-DC系列,以及MOS场效应管系列.
泰德/授权代理商,32位MCU代理商,中科芯/航 顺。
本产品网址:http://www.vooec.com/cpshow_224204824/ 手机版网址:http://m.vooec.com/product_224204824.html 产品名称:TDM3421 TD泰德代理 P沟道 -30V 4.5V MOS |
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