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回收全志芯片收购威世BGA
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| 发布时间：
2021/3/21 16:58:00 |
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电 话： |
86-0181-24701558 |
| 传 真： |
86-- |
| 手 机： |
18124701558 |
| 邮 编： |
518000 |
| 地 址： |
福田区华强北街道华强北路赛格科技工业园2栋10层1-6轴58 |
| 网 址： |
http://temokeji.cn.vooec.com |
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| 公司名称：深圳市远华信达科技有限公司 |
| 联 系 人：李令 先生 采购 |
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回收全志芯片收购威世BGA V-181-24-70-15-58 NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。
在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。
Intel是世界上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。
种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
本产品网址：http://www.vooec.com/cpshow_222905171/
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产品名称：回收全志芯片收购威世BGA |
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